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本公开提供一种具有位在接合垫侧壁上的间隙子的半导体元件及制备方法。该半导体元件具有一接合垫以及一第一间隙子，该接合垫设置在一半导体基底上，该第一间隙子设置在该接合垫的一侧壁上。该半导体元件亦包括一第一钝化层以及一导电凸块，该第一钝化层覆盖该接合垫与该第一间隙子设置，该导电凸块设置在该第一钝化层上。该导电凸块经由该接合垫而电性连接到位在该半导体基底中的一源极/漏极区。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687645 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202010909865.5
(22)申请日 2020.09.02
(30)优先权数据
16/656,82
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