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2023-06-04 发布于四川
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集成电路校准用在片电容标准样片.pdf

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本发明公开了一种集成电路校准用在片电容标准样片，属于集成电路领域，其包括由导电材料制成的电容结构、屏蔽结构、去嵌结构和定标结构，所述电容结构和去嵌结构用于设置在所述屏蔽结构内。所述电容结构包括用于与测量探针连接的两块电容基体，两块电容基体上分别设置有若干叉指结构，两块电容基体的叉指结构互相间隔形成电容；所述去嵌结构包括用于与测量探针连接的两块去嵌基体，两块去嵌基体与两块电容基体完全相同；定标结构用于对电容结构的几何尺寸进行定值。本发明的标准样片可用于集成电路在片小电容测试系统的校准，该标准样片的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112666506 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011451196.8 (22)申请日 2020.12.10 (71)申请人中国电子技术标准化研究院

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