一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法.pdf

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本发明属于半导体技术领域，特指一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明在GaN基HEMT外延膜生长的过程中，通过图形化硅衬底生长技术将HEMT外延膜设计成以HEMT单元尺寸规则排列的分立外延层，大大降低了外延膜与硅衬底之间的应力累积，利用非常简单的缓冲层便可以解决龟裂问题，同时外延片在生长过程中翘曲程度大幅下降，温度均匀性和材料的均匀性显著改善。本发明解决了现有硅衬底GaN基HEMT外延生长过程中应力控制和HEMT外延膜中残余应力带来的不利影响，具有性能一致性好、制造良率高以及

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112687740 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 202011621672.6 审查员丁宁 (22)申请日 2020.12.30