导电结构、半导体封装及其形成方法.pdfVIP

导电结构、半导体封装及其形成方法.pdf

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本发明实施例公开导电结构、半导体封装及其形成方法。一种导电结构包括金属特征、绝缘层及氮化金属层。金属特征设置在衬底之上，且包括下部金属图案及位于所述下部金属图案之上的上部金属图案。绝缘层环绕金属特征。氮化金属层设置在下部金属图案与上部金属图案之间。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670258 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 20201

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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