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具有室温拓扑霍尔效应的外延Pt/γ′-Fe4N/MgO异质结构及制备方法.pdfVIP

具有室温拓扑霍尔效应的外延Pt/γ′-Fe4N/MgO异质结构及制备方法.pdf

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    本发明涉及一种具有室温拓扑霍尔效应的外延Pt/γ′‑Fe4N/MgO异质结构及制备方法；通过对向靶磁控溅射法将铁磁性γ′‑Fe4N薄膜和非磁性重金属层Pt薄膜复合在一起，形成Pt/γ′‑Fe4N/MgO异质结构，自下而上依次为MgO(001)单晶基片、γ′‑Fe4N层和Pt层；γ′‑Fe4N为铁磁层，Pt为非磁性重金属层；在室温300K时，异质结构中除了正常霍尔效应和反常霍尔效应之外还存在拓扑霍尔效应，这在实现高密度、高速度、低能耗磁存储器件中具有重要的应用价值；本发明所采用的对向靶磁控溅射法，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112680705 B (45)授权公告日 2022.08.05 (21)申请号 202011471090.4 C23C 14/18 (2006.01)

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