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本发明实施例提供一种提高读写速度的方法、装置及NAND闪存，NAND闪存包括SRAM、与SRAM连接的N个寄存器区以及与N个寄存器区一一对应的N个充电选择信号，N个充电选择信号的周期包括延迟时间，N个充电选择信号相互之间存在时间延迟，N个充电选择信号周期中的延迟时间叠加后等于N个寄存器区的寄存器选择信号走线延迟，方法包括：接收寄存器地址；根据寄存器地址确定待进行读写操作的寄存器区；设置待进行读写操作的寄存器区对应的充电选择信号有效。本发明有效减小了SRAM读写寄存器的时间，极大提高了SRAM读写
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687316 A
(43)申请公布日
2021.04.20
(21)申请号 20191
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