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本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置,其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间,且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20W/mK。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687791 A
(43)申请公布日
2021.04.20
(21)申请号 20201
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