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半导体装置结构的形成方法.pdfVIP

半导体装置结构的形成方法.pdf

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    本公开提供半导体装置结构及其形成方法。方法包含形成在半导体基底上形成虚设栅极堆叠，且在虚设栅极堆叠的侧壁上形成间隙物元件。间隙物元件具有内间隙物和虚设间隙物，且内间隙物在虚设间隙物与虚设栅极堆叠之间。方法也包含形成介电层环绕间隙物元件和虚设栅极堆叠，且以金属栅极堆叠取代虚设栅极堆叠。方法更包含移除间隙物元件的虚设间隙物以在内间隙物与介电层之间形成凹槽。此外，方法包含形成密封元件以密封凹槽，使得金属栅极堆叠与介电层之间形成密封孔洞。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687621 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202010837087.3 (22)申请日 2020.08.19 (30)优先权数据 16/657,22

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