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一种大功率半导体光放大器，包括沿光传播方向依次设置的若干增益介质，用于放大输入所述增益介质的信号光，所述增益介质包括基板、以及所述基板上方依次层叠设置的下限制层、有源层和上限制层，所述有源层由量子点材料组成。本发明具有如下有益效果：由于量子点非均匀展宽特性带来相比量子阱结构更宽的光谱增益，利用量子点材料结构并通过特殊的多模干涉原理，即通过结合级联结构，获得相比其他量子点半导体光放大器或反射式半导体光放大器更高的输出功率，可以实现相比传统量子阱方案更宽增益、更小波动、更大功率的半导体光放大器。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670827 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011625906.4
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 苏州零维量点光电科技有限公司
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