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本公开提供一种半导体装置。其包括鳍片、栅极堆叠、隔离区、外延源极/漏极区以及源极/漏极接触件，鳍片从半导体基板延伸；栅极堆叠位于鳍片的上方，并沿着鳍片的侧壁；隔离区围绕栅极堆叠；外延源极/漏极区位于鳍片之中，并邻近栅极堆叠；源极/漏极接触件，延伸穿过隔离区，源极/漏极接触件包括第一硅化物区、第二硅化物区以及导电材料。第一硅化物区位于外延源极/漏极区之中，第一硅化物区包括NiSi2；第二硅化物区位于第一硅化区之上，第二硅化区包括TiSix；导电材料位于第二硅化物区之上。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687688 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011111900.5
(22)申请日 2020.10.16
(30)优先权数据
16/656,83
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