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Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法.pdfVIP

Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法.pdf

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    本发明公开了Si衬底的AlGaN薄膜结构及制备方法，所述Si衬底的AlGaN薄膜结构包括：生长在Si衬底上的基础AlN层、生长在所述基础AlN层上的第一高温AlN层、生长在所述第一高温AlN层上的低温AlN层、生长在所述低温AlN层上的第二高温AlN层、生长在所述第二高温AlN层上的第一AlGaN层、生长在所述第一AlGaN层上的第二AlGaN层，其中所述第二AlGaN层的厚度比所述第一AlGaN层的厚度大。本发明在Si衬底上制备AlN缓冲层，并采用低温结合高温AlN缓冲层技术，能够有效避免降低

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687779 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011551635.2 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 深圳市昂德环球科技有限公司

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