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本公开的各个方面提供了用于制作半导体器件的方法。在一些示例中，一种用于制作半导体器件的方法包括形成具有第一区域和第二区域的层堆叠体。该层堆叠体至少包括第一层。之后，该方法在第一区域中在该层堆叠体上形成硬掩模层。之后，该方法包括在半导体器件的第二区域中将该层堆叠体图案化。在第二区域中对该层堆叠体的图案化去除了该层堆叠体在第二区域中的部分，并且暴露出该层堆叠体的侧面。该方法进一步包括利用第二层至少覆盖该层堆叠体的该侧面，该第二层具有低于该第一层的去除速率，并且之后该方法包括去除该硬掩模层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112673472 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 202080003899.6 (74)专利代理机构 北京永新同创知识产权代理
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