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一种屏蔽栅功率器件及其制备方法.pdfVIP

一种屏蔽栅功率器件及其制备方法.pdf

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    本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种屏蔽栅功率器件及其制备方法，通过在外延层中的深槽内形成不同高度的第一源极多晶硅和第二源极多晶硅，并在第一源极多晶硅上形成第一绝缘介质层，在第一绝缘介质层两侧形成栅极多晶硅，从而减小栅极多晶硅与源极多晶硅的交叠面积，降低屏蔽栅器件的栅极与源极间的电容，解决了现有的屏蔽栅功率器件存在的开关损耗较高、器件开关速度低等问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687735 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 20191

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