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本发明公开了一种STI平坦化方法，在半导体衬底上刻蚀形成STI沟槽；在所述STI沟槽中完成填充物淀积之后，在工艺腔内通入刻蚀气体处理工艺，通过刻蚀气体的刻蚀，将填充物表面的毛刺去除。本发明利用刻蚀性气体对STI填充层进行预处理，将表面的毛刺先行刻蚀去除，然后在进行平坦化工艺，这样由于预先去除了毛刺，平坦化时没有毛刺颗粒摩擦晶圆表面，降低了晶圆划伤的风险。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670235 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011536427.5
(22)申请日 2020.12.23
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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