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本公开实施例公开光学准直器、半导体装置及其形成方法。在一实施例中,光学准直器包含:介电层;基底;以及多个通孔,其中介电层形成于基底上方,其中多个通孔被配置为沿介电层的第一表面的横向方向延伸的阵列,其中多个通孔的每一者在垂直方向从介电层的第一表面延伸通过介电层和基底至基底的第二表面,其中基底具有整体杂质掺杂浓度等于或大于1×1019cm‑3和第一厚度,且其中基底的整体杂质掺杂浓度和第一厚度被配置为允许光学准直器过滤一波长范围的光。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687708 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202010885422.7 (51)Int.Cl.
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