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本公开实施例提供的集成电路装置包括：半导体基板，其具有上表面；第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构，位于半导体基板上；第一半导体层，连接第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构；半导体层沿着垂直于上表面的第一方向彼此堆叠，每一半导体层具有第一厚度的中心部分与第二厚度的两个末端部分，且第二厚度大于第一厚度，两个末端部分的每一者连接中心部分与第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构的一者；栅极，接合每一半导体层的中心部分；第一间隔物，位于半导体层的最上侧半导体层的两个末端部分上；以及第二间隔物，位于半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687682 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202010979734.4
(22)申请日 2020.09.17
(30)优先权数据
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