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一种制造半导体器件的方法,包括在第一半导体器件的导电焊盘上放置金属芯焊料球,其中,所述金属芯焊料球包括由焊料材料围绕的金属芯;以及形成器件结构,形成所述器件结构包括:在载体衬底上放置所述第一半导体器件;用密封剂密封所述第一半导体器件,其中,所述密封剂覆盖所述金属芯焊料球;在所述密封剂上实施平坦化工艺,其中,所述平坦化工艺暴露所述金属芯焊料球;以及在所述密封剂和所述第一半导体器件上方形成再分布结构,其中,所述再分布结构电连接至所述金属芯焊料球。本申请的实施例还提供半导体器件及封装件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687628 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011106489.2 H01L 23/31 (2006.01)
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