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QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置.pdfVIP

QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置.pdf

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    本发明公开了一种QLED器件、QLED器件的制备方法及显示装置，其中QLED器件包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述电子传输层的材料为n型金属氧化物，所述电子传输层上修饰有一层低表面能薄膜，所述低表面能薄膜位于所述电子传输层与所述阴极之间。本发明的低表面能薄膜覆盖在电子传输层上，低表面能薄膜可以减少氧分子和水分子的附着，避免了因电子传输层吸附氧分子而出现的正向老化现象。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687820 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011590828.9 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人 广东聚华印刷显示技术有限公司

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