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本申请实施例公开了一种三维存储器的制造方法，所述方法包括：提供包括交替堆叠的第一绝缘层和第一牺牲层的叠层结构；所述叠层结构的至少一侧形成为台阶区域，所述台阶区域包括多层台阶；所述台阶的顶面曝露所述第一牺牲层；通入第一气体，以使所述第一气体中的抑制元素附着在所述台阶的顶面上；所述抑制元素用于抑制第二绝缘材料的形成；沉积所述第二绝缘材料，以形成至少覆盖所述台阶的侧壁的第二绝缘层；沉积第二牺牲材料，刻蚀去除位于所述第二绝缘层表面的第二牺牲材料，保留位于所述台阶顶面的第二牺牲材料作为第二牺牲层，所述第二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687695 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011553359.3
(22)申请日 2020.12.24
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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