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2023-06-04 发布于四川
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本公开提供一种沟槽栅IGBT器件，包括元胞区；其中，所述元胞区包括若干交替设置的第一元胞结构和第二元胞结构，所述第一元胞结构的开关延迟时间大于所述第二元胞结构的开关延迟时间；所述栅极焊盘位于所述第一元胞结构对应位置处，以补偿由栅极信号传输导致的延迟。根据栅极焊盘、发射极焊盘和栅极总线特点，采用至少两种的元胞结构在芯片内布局(交替设置)，且栅极焊盘位于开关延迟时间较大的第一元胞结构上方，使不同元胞结构之间电学性能的差异弥补栅极信号在器件内的传输延迟，使器件各个部分受到的电应力更加均衡，不同位置的元

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687654 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011474042.0 (22)申请日 2020.12.14 (71)申请人株洲中车时代半导体有限公司

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