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本专利公开了一种纳米图形化衬底的制作方法，所述方法包括：步骤一、在衬底上施加具有多个孔洞的模板，所述孔洞的直径范围为100nm‑800nm；步骤二、透过所述模板的孔洞向所述衬底与所述孔洞对应的表面施加氮化铝层；步骤三、将施加有氮化铝层的衬底进行退火。本专利还公开了使用上述方法制作的纳米图形化衬底。通过上述方案使得衬底具有纳米图形化衬底以及磁控溅射形成氮化铝衬底的优点。同时无需复杂的步骤制作图形化衬底也无需在衬底上另外形成缓冲层而直接在衬底上生长高质量的半导体外延材料。因此简化了生产工艺并提高了衬
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112687778 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011474285.4
(22)申请日 2020.12.14
(71)申请人 北京中科优唯科技有限公司
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