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2023-06-04 发布于四川
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用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统.pdf

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本申请涉及用于可靠地形成具有针对硅化物区域的导电触点的微电子装置的方法以及相关装置和系统。使用避免无意的接触扩张和接触减少的方法形成具有与硅化物区域邻近的至少一个导电接触结构的微电子装置。在接触开口中形成第一金属氮化物衬里，并且随后处理(例如，清洁和干燥)多晶硅结构的暴露表面以准备形成硅化物区域。在预处理(例如，清洁和干燥)期间，相邻介电材料受到金属氮化物衬里的保护，从而阻止接触开口的扩张。在形成硅化物区域之后，在形成导电材料以填充接触开口并且形成导电接触结构(例如，存储器单元接触结构、外围接触

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670239 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011103270.7 (22)申请日 2020.10.15 (30)优先权数据 16/654,86

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