掺杂半导体的激活率计算方法、装置及电子设备.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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掺杂半导体的激活率计算方法、装置及电子设备.pdf

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本发明提供了一种掺杂半导体的激活率计算方法、装置及电子设备，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取掺杂半导体的杂质注入参数及预先建立的掺杂半导体的激活率表；其中，激活率表中包括掺杂半导体在多种杂质注入条件下及多个激活深度下的方块电阻和激活率；当掺杂半导体进行快速退火后，检测掺杂半导体的实测电阻；基于杂质注入参数及实测电阻从激活率表中获取与实测电阻相等的方块电阻对应的激活率，得到掺杂半导体的激活率。本发明通过计算提升了半导体激活率的测试速度，缩短了测试周期，降低了激活率测试成本。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687564 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011507939.9 (22)申请日 2020.12.18 (71)申请人北京华卓精科科技股份有限公司

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