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2023-06-04 发布于四川
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平板探测器的制备方法.pdf

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本发明提供一种平板探测器的制备方法，在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOSTFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOSTFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣化，从而可提高平板探测器质量及性能；在制备完成PD后，通过对金属隔离层进行一次图形化，即可同时形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，工艺简单，便于操作；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；栅电极可直接作为非晶氧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687714 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011577115.9 (22)申请日 2020.12.28 (71)申请人上海奕瑞光电子科技股份有限公司

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