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本发明涉及一种检测氧化堆垛层错的方法，所属硅片检测技术领域，包括先对硅片进行退火处理，硅片的氧化退火在氧化退火炉上进行，将硅片置于碳化硅舟上，在750℃下碳化硅舟进入，在1100℃温度下，通入氧气和氢气合成的高温水汽。经过一小时化学反应后，降温碳化硅舟推出，冷却至室温后取下硅片。将硅片使用X射线形貌术进行氧化堆垛层错测试。硅片退火后，使用X射线形貌术测量得到的形貌图中若显示实心圆状或环状深灰色阴影，即代表此处有氧化堆垛层错存在。具有稳定性好、无损伤和无污染的特点。解决了择优腐蚀液含有重金属铬对环
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670200 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011592655.4
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
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