一种边缘掺杂的晶体硅太阳电池结构及制备方法.pdfVIP

一种边缘掺杂的晶体硅太阳电池结构及制备方法.pdf

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本发明提供了一种边缘掺杂的晶体硅太阳电池结构及制备方法，在太阳电池的每一个激光切割边缘界面上设置有重掺杂区，以降低到达边缘界面的少数载流子浓度，从而抑制边缘的复合。在边缘重掺杂区的表面可进一步设置钝化膜以增强表面钝化，形成边缘界面的场钝化及化学钝化，降低边缘的复合电流密度，提高电池开路电压。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687754 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011578609.9 (22)申请日 2020.12.28 (71)申请人天合

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