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用于形成铜金属层的方法及半导体结构.pdfVIP

用于形成铜金属层的方法及半导体结构.pdf

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    本发明涉及一种用于形成铜金属层的方法及半导体结构。所述用于形成铜金属层的方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有氧化亚铜层；采用等离子体增强原子层沉积工艺还原部分所述氧化亚铜层，形成铜金属层。本发明填补了通过处理氧化亚铜层表面生成铜金属层的技术空白，且操作简单，可无损制备铜金属层。此外，实现了对铜金属层厚度的精确调控，可重复性强，成品率高，对于其衍生器件的制备带来了便利。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112670173 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 202011603887.5 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人 光华临港工程应用技术研发（上海）

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