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本发明公开了一种低介电损耗、宽烧结工艺窗口的低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料是由钙硼硅铅玻璃和氧化铝陶瓷组成，按质量分数计，钙硼硅铅玻璃为50wt％～70wt％，氧化铝陶瓷为30wt％～50wt％。制备方法包括钙硼硅铅玻璃粉体的制备，复合粉体的制备，以及复合粉体的成型和低温烧结。本发明的低温共烧陶瓷材料具有非常低的介电损耗，在20MHz下测得材料的介电损耗在3×10‑5～8×10‑4之间；同时具有非常宽的烧结工艺窗口，在700℃到900℃之间均可以烧结，且烧结致密化程度高，与银浆
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112679199 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 202011579910.1 C03C 6/04 (2006.01)
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