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一种含有隔离p-top区的槽栅超结IGBT.pdfVIP

一种含有隔离p-top区的槽栅超结IGBT.pdf

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    本发明提供了一种超结IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中的第二导电类型的半导体区的上方有一个电阻率较低的第二导电类型的顶部区，所述顶部区通过槽型栅极结构与第二导电类型的基区相隔离，并且其耐压层中的第一导电类型的半导体区与所述基区之间有第一导电类型的载流子存储层。在正向导通态下，所述顶部区上产生一个压降，提高所述耐压层中的第二导电类型的半导体区的电位，帮助降低导通压降。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112652658 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 202110120082.3 CN 108389901 A,2018.08.10 (22)

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