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根据实施方式，非易失性半导体存储装置具备：多个第一布线层，在第一方向上延伸，沿着与第一方向交叉的第二方向排列；多个第二布线层，在与第一方向以及第二方向交叉的第三方向上设置于多个第一布线层的上方，在第一方向上排列，在第二方向上延伸；多个第一层叠结构体，在多个第二布线层与多个第一布线层的交叉部分，包含配置于第二布线层与第一布线层之间的存储单元；第二层叠结构体，在第二方向上与多个第一布线层相邻，沿着第二方向排列，与第二布线层相接触；以及绝缘层，设置于多个第一层叠结构体之间以及多个第二层叠结构体之间，第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112689894 A
(43)申请公布日 2021.04.20
(21)申请号 201980059930.5 (51)Int.Cl.
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