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本发明公开了一种氯基SiC‑CVD晶体与薄膜生长制程尾气中C2+与氯硅烷FTrPSA分离方法，通过预处理、氯硅烷喷淋吸收、中温变压吸附浓缩、浅冷油吸收、多级蒸发/压缩/冷凝、HCl精制与氯硅烷中浅冷精馏工序，将氯基SiC‑CVD晶体与外延薄膜生长制程尾气中的C2+与氯硅烷进行清晰分离与净化，并满足SiC‑CVD制程所需的前驱物‑C2+及氯硅烷原料要求而加以返回循环再利用，解决了氯基SiC‑CVD制程尾气中最难且最关键的分离与净化的技术瓶颈，使得尾气或提氢或全组分回收H2、C2+、HCl及氯硅烷并
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112661158 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011537651.6 C03C 25/64 (2006.01)
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