基于弱耦合增强的石墨烯结构、石墨烯膜及光电器件.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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基于弱耦合增强的石墨烯结构、石墨烯膜及光电器件.pdf

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本发明提供一种基于弱耦合增强的石墨烯结构，这种石墨烯结构通过弱耦合作用是的本体材料具有线性能带特征，促进热电子的跃迁，增加联合态密度；AB结构的存在和厚度的增加配合延长热电子弛豫时间，从而提升高能态热电子数量，同时降低了膜制备工艺的要求和成本，增加了膜制备的成功率。另外，基于石墨烯/半导体肖特基结，可以探测低能量的光，将石墨烯/硅光电器件的探测范围从可见和近红外拓展到中远红外。本发明还提供一种弱耦合增强的石墨烯光电膜，通过弱耦合实现多层石墨烯的光吸收的叠加，提高石墨烯膜的光吸收率，从而在低能量波

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112687756 A (43)申请公布日 2021.04.20 (21)申请号 202011612019.3 (22)申请日 2020.12.30 (71)申请人浙江

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