- 1、本文档共21页,其中可免费阅读20页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开一种存储器、半导体器件及其制造方法。该方法包括:在衬底的表面蚀刻出鳍;在鳍上形成一层用于防止鳍氧化的保护膜;至少对鳍周围的衬底本体进行蚀刻,以在鳍底部形成凸出于衬底本体的基台;氧化基台;在该衬底的表面沉积第一介电层,该第一介电层的厚度至少大于基台的高度;去除鳍顶部的保护膜并使得鳍的顶面与所述第一介电层的上表面平齐;在鳍内制作出晶体管。该方法可以采用体硅为衬底制作半导体器件,并且整个制作工艺简单,采用该方法所制成的低漏电流半导体器件的成本较低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670180 A
(43)申请公布日
2021.04.16
(21)申请号 20191
文档评论(0)