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本发明涉及一种铪基AlN厚膜及其制备方法，包括：在铪衬底层的侧面和下表面沉积SiC保护层；对沉积完所述SiC保护层的所述铪衬底层进行超声清洗；对完成超声清洗的所述铪衬底层进行退火得到α晶型铪衬底层；在所述α晶型铪衬底层的上表面低温溅射生长AlN保护层；在所述AlN保护层的上表面生长AlN溅射退火层；在所述AlN溅射退火层上表面生长HVPE‑AlN层。本铪基AlN厚膜的制备方法可极大地减少了前期生长过程中AlN与铪衬底层之间的界面化合反应，使铪衬底层在高温下不与空气中的氧气和氮气反应，具有高长速和
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112670159 A
(43)申请公布日 2021.04.16
(21)申请号 202011466320.8
(22)申请日 2020.12.14
(71)申请人 西安电子科技大学
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