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2023-06-04 发布于四川
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一种基于TE偏振光斜入射模式的双通道窄带吸收体.pdf

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本发明的目的是提供一种基于TE偏振光斜入射模式的双通道窄带吸收体，提供更高的灵敏度和综合反应灵敏度的品质因子，包括红外石墨烯基窄带吸收单元，红外石墨烯基窄带吸收单元包括从上到下位的电介质层、缓冲电介质层、石墨烯薄膜、高折射率纳米腔超表面、金属基底，所述高折射率纳米腔超表面的上端面向下开设有孔，孔中填充与电介质层相同的电介质，由于该结构的反射谱宽度0.5nm，谐振位置吸收率高达97%，所以该结构有助于设计高灵敏度折射率传感器，其中，顶部电介质层作为第一个通道，高折射率纳米腔超表面的纳米深孔阵列作

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112684524 B (45)授权公告日 2022.07.01 (21)申请号 202011222874.3 (22)申请日 2020.11.05 (65)同一申请的已公布的文献号

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