发光二极管外延片及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-04 发布于四川
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发光二极管外延片及其制备方法.pdf

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本公开提供了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在衬底与n型层之间增加了碲化钒层。由于碲化钒层内的原子之间通过共价键结合，碲化钒层的原子层状结构由Te‑V‑V‑Te沿着c轴方向排列组合而成，碲化钒层的原子层状结构之间主要通过范德瓦尔斯力结合。碲化钒层的这种特殊的原子层状结构使得碲化钒层与n型层之间也只是存在分子间范德华力。碲化钒层与n型层之间的结合不会非常紧密，可以便于n型层从碲化钒层的表面上剥离并进行转移，可以提高n型层从衬底上完整剥离的概率并降低n型层从衬底剥离的困难程度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112687774 B (45)授权公告日 2022.04.15 (21)申请号 202011461498.3 审查员刘佳秋 (22)申请日 2020.12.11