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半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质.pdfVIP

半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质.pdf

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    本发明提供一种技术，能够在基板上形成膜，并抑制在表面形成的凹部与设置为从该凹部的侧面开始在与凹部的深度方向不同的方向上延伸的其他凹部之间形成间隙。具有：(a)对于基板供给含金属气体的工序，所述基板在表面上形成有第一凹部和设置为从上述第一凹部的侧面开始在与上述第一凹部的深度方向不同的方向上延伸的第二凹部，(b)对于上述基板供给还原气体的工序，(c)对于上述基板供给含卤气体的工序和(d)对于上述基板供给含氧气体的工序。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112740364 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 201980059712.1 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限

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