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本发明是针对现有势垒型器件在吸收层和势垒层存在一个较高的价带带阶,使得空穴在运动过程中受到价带势垒的阻碍,使量子效率降低的不足,提供一种数字合金AlAsSb材料及数字合金中波红外探测器,此数字合金在一层厚度为d1的AlSb材料上,生长一层厚度为d2的AlAsxSb1‑x材料,形成厚度为d1+d2的AlAsySb1‑y基本单元,d1+d2作为一个周期,重复生长n个周期,形成数字合金DA‑AlAsySb1‑y,其中,y为数字合金中整体平均As组分,x为基本单元的一层中的As的组分,采用本发明提供的数
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112713209 B
(45)授权公告日 2022.05.10
(21)申请号 202011597283.4 H01L 31/109 (2006.01)
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