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本发明公开一种高精度多晶低电阻的制造方法,属于MEMS工艺领域。该方法用离子注入提高了电阻精度:因离子注入可以精准控制注入离子种类、能量和剂量,从而可以精确控制电阻的阻值,提高了电阻的精度,使得精度小于1%;注入前退火:目的是使多晶硅晶粒变大,改变了多晶晶格结构,使得带隙减小,便于注入离子激活;注入后退火:目的是修复晶格损伤,使注入离子移动到晶格点,将离子激活,从而通过两次退火降低了多晶硅电阻阻值,可以使得阻值降低至40Ω以内;并且通过SiO2层有效阻止了注入离子反扩。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112707366 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 202011603194.6
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 无锡中微晶园电子有限公司
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