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2023-06-05 发布于四川
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一种垂直半导体肖特基二极管器件(300；400；500；600；700)，具有：半导体材料的衬底(101)，该衬底具有前表面(101a)和背表面(101b’)；轻掺杂区域(102)，该轻掺杂区域形成在衬底(101)的面向前表面(101a)的表面部分中，该轻掺杂区域具有第一导电类型；第一电极(111)，该第一电极形成在衬底(101)的前表面(101a)上的轻掺杂区域(102)上，以建立肖特基接触；在衬底(101)的背表面(101b’)处的高掺杂区域(140)，该高掺杂区域与轻掺杂区域(102)接触

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112740422 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 201980061716.3 (74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任

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