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本发明公开了一种半导体激光器的温度控制方法、装置及设备,属于激光器技术领域。本发明通过获取半导体激光器的当前运行温度;获取所述当前运行温度和预设温度确定之间的温度差值;根据所述温度差值确定温度偏差;根据所述温度偏差确定目标温度控制量;按照所述目标温度控制量对所述半导体激光器的当前运行温度进行调整,通过温度差值确定温度偏差,再根据温度偏差确定目标温度控制量,通过目标温度控制量实现了对半导体激光器运行温度的准确检测与精确控制。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112713503 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 202011611425.8
(22)申请日 2020.12.29
(71)申请人 深圳市利拓光电有限公司
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