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本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明提高在基板上形成的含硅膜的特性。本发明的半导体装置的制造方法具有(a)通过将非同时进行(a1)对基板供给含有卤素和硅的第一气体的工序和(a2)对基板供给含有氢的第二气体的工序的循环进行预定次数，在基板上形成硅种层的工序，和(b)通过对基板供给含有硅的第三气体来在硅种层上形成含硅膜的工序，并且，使(a2)中存在基板的空间的压力比(a1)中存在基板的空间的压力高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112735939 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 202010982460.4
(22)申请日 2020.09.17
(30)优先权数据
2019-1952
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