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本发明涉及一种对向靶反应溅射制备外延Mn4N薄膜的方法,结构为Mn4N/MgO。所述Mn4N/MgO结构为:在MgO(001)单晶基片上外延生长了Mn4N薄膜,外延Mn4N薄膜的制备方法是采用反应溅射法成功制备出外延Mn4N薄膜。具有靶材选择简单和靶材使用率较高等优点,具有垂直磁各向异性,面外方向的磁电阻随磁场的变化具有双峰信号,反常霍尔电阻率随磁场的变化具有磁滞特性,有助于垂直磁记录材料的开发。靶材选择简单,从工业生产上更为容易获得;所得晶体质量较高,并且薄膜表面形貌良好,平整度高;在信息存储
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112708934 A
(43)申请公布日 2021.04.27
(21)申请号 202011471754.7
(22)申请日 2020.12.14
(71)申请人 天津大学
地
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