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公开了双深度晶片通孔半导体器件及用于制造双深度晶片通孔半导体器件的方法。特别地，公开了仅背接触多结光伏电池和用于制造这种电池的工艺流程。该双深度晶片通孔多结光伏电池包括用于将前表面外延层互连至背表面上的接触焊盘的晶片通孔。在蚀刻晶片通孔之前，基板被减薄至小于150μm。双深度晶片通孔使用两步湿蚀刻工艺来形成，该工艺在异质外延III‑V半导体层之间的蚀刻速率没有显著差异的情况下非选择性地移除半导体材料。低应力钝化层用于降低半导体器件的热机械应力。旁路二极管集成在由双深度晶片通孔结构形成的背侧上的凹
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112740425 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 201980059783.1 (74)专利代理机构 北京市铸成律师事务所
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