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本发明提供了一种气体传感器的制备方法和气体传感器,所述方法包括:提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底;在所述GaN缓冲层上形成外延叠层,所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层;刻蚀所述外延叠层,形成台阶状异质结构,同时实现器件隔离;形成欧姆接触电极和肖特基接触电极,所述欧姆接触电极位于所述GaN帽层上,所述肖特基接触电极位于刻蚀区域底部的GaN缓冲层上;退火;形成敏感材料层,所述敏感材料层连接所述异质结构和所述肖特基接触电极。本发明降低了气体传感器
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112713183 B
(45)授权公告日 2022.06.10
(21)申请号 202011581584.8 H01L 29/47 (2006.01)
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