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半导体元件的制造方法包括：结合层形成工序，在第一基板101的一部分的结合层区域，形成以较共价键更弱的力结合半导体薄膜的结合层102；薄膜形成工序，在结合层区域及结合层区域以外的非结合层区域形成半导体薄膜103；分离工序，通过将与第一基板101不同的拾取基板140所具有的有机物层结合于半导体薄膜103，从而从第一基板101分离半导体薄膜103；附着物除去工序，将从第一基板101分离后的半导体薄膜103的剥离面所附着的结合层102除去；以及接合工序，将除去结合层122后的半导体薄膜103接合于与第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112740359 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 201980060356.5 (72)发明人 荻原光彦
(22)申请日 2019.08.19
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