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本发明公开了一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法,首先制备金属电极;采用匀胶机在硅衬底上旋涂PMMA,用电子束曝光机曝光硅衬底,在EBL系统上设计出输运测量结构区域,并进行曝光;将曝光后的硅衬底放置于显影液中进行显影操作,然后放置于异丙醇中定影;在定影后的硅衬底上蒸镀Ti/Au金属层,并在丙酮中剥离,获取金属电极;然后筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳米级厚度薄片,用二维材料转移平台先后将Fe3GeTe2和hBN转移至带有金属电极的硅衬底上;本发明通过筛选出厚度不均匀的Fe3GeTe2纳
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112713240 B
(45)授权公告日 2022.07.22
(21)申请号 202110125771.3 H01L 43/10 (2006.01)
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