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本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法,具有以下工序:从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观测;基于观测到的与所述等离子体的所述发光有关的数据,来计算表示所述等离子体的特性的值在基板上的面内分布;以及基于计算出的表示所述等离子体的所述特性的值在基板上的面内分布,来对所述等离子体的扫描图案和/或等离子体密度分布进行校正。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112735934 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 202011131045.4
(22)申请日 2020.10.21
(30)优先权数据
2019-1956
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