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本发明提供了一种氧化亚铜纳米线光阴极,所述氧化亚铜纳米线光阴极包括形成于金属铜基片上的氧化亚铜纳米线,所述氧化亚铜纳米线的表面负载有保护层,所述保护层包含有钴和镧金属元素。所述氧化亚铜纳米线光阴极的制备方法包括:提供金属铜基片并在金属铜基片上生长氢氧化铜纳米线;将所述氢氧化铜纳米线浸泡于包含有钴和镧金属元素的有机前驱体溶液中,并干燥处理;将干燥后的氢氧化铜纳米线在惰性氛围中高温煅烧,获得氧化亚铜纳米线光阴极。本发明中的氧化亚铜纳米线光阴极,钴镧双金属元素包括不仅可以提升氧化亚铜纳米线光阴极的循环
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112708903 B
(45)授权公告日 2022.02.15
(21)申请号 202011457948.1 C25B 11/091 (2021.01)
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