具备静电保护能力的屏蔽栅沟槽MOSFET器件及制造方法.pdfVIP

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2023-06-05 发布于四川
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具备静电保护能力的屏蔽栅沟槽MOSFET器件及制造方法.pdf

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本发明涉及一种具备静电保护能力的屏蔽栅沟槽MOSFET器件及制造方法；方法包括：提供衬底，于衬底上表面形成外延层；在外延层上刻蚀得到第一沟槽和第二沟槽；于第一沟槽和第二沟槽之内形成第一介质层和第一多晶硅层；在第二沟槽之内形成屏蔽栅；沉积第二多晶硅层，第二多晶硅层包括填充于第二沟槽的上部区域的第二多晶硅层区块二和位于第一沟槽侧边的第二多晶硅层区块四；在第二沟槽旁侧形成体区；在体区的表层形成源区，同步的，在第二多晶硅层区块四上形成多个NPN结构的ESD保护二极管；本发明避免了现有技术中第一次多晶硅淀

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112713192 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 202011591605.4 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人无锡

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